ፈጣን መቀየሪያ Thyristor

መግለጫ፡-

ፈጣን ማብሪያና ማጥፊያ thyristor, ተመሳሳይ መዋቅር እና ደረጃ ቁጥጥር thyristor ምልክት ጋር, የተሻለ የማይንቀሳቀስ ባህሪያት, በተለይ ተለዋዋጭ ባህርያት rectification, መቁረጥ, inverter እና ድግግሞሽ ቅየራ ምልልስ ከፍተኛ ድግግሞሽ ማመልከቻ ያስፈልጋል ሳለ.የፈጣን thyristor ተለዋዋጭ መለኪያዎች ፈጣን የማብራት ፍጥነት እና የማብራት ማስፋፊያ ፍጥነት፣ ያነሰ የተገላቢጦሽ የመልሶ ማግኛ ክፍያ እና አጭር የማጥፋት ጊዜ፣ በግዛት ላይ ያለው የአሁኑ ከፍተኛ ወሳኝ ጭማሪ (ዲ/ዲቲ) እና ወሳኝ ፍጥነት ናቸው። ከስቴት ውጪ የቮልቴጅ መጨመር (ዲቪ/ዲቲ)።በተሰየመው ድግግሞሽ ውስጥ ያለው የፈጣን thyristor ደረጃ የተሰጠው ተደጋጋሚነት ድግግሞሽ ሲጨምር ትንሽ አይቀንስም ወይም አይቀንስም።

የ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ የፈጣን ማብሪያ thyristor የማኑፋክቸሪንግ ስታንዳርድ እና ፕሮሰሲንግ ቴክኖሎጂ ከ1980ዎቹ ጀምሮ ከአሜሪካ አስተዋወቀ።በቻይና ውስጥ thyristor የማምረት ፈር ቀዳጅ እንደመሆኑ መጠን የRUNAU ቴክኒካል ቡድን ከ30 ዓመታት በላይ የላቀ ዕውቀት እና በቂ የማኑፋክቸሪንግ ልምድ አግኝቷል።ባህላዊ የማኑፋክቸሪንግ ሂደት ላይ, RUNAU ኤሌክትሮኒክስ ተሰጥኦ ቴክኒሻኖች የአውሮፓ ምርቶች ጥቅም ባህሪያት ጋር thyristor በማኑፋክቸሪንግ ውስጥ ጥበብ-ኦቭ-ግዛት ቴክኖሎጂ አዳብረዋል ነበር, ጥራት እና አፈጻጸም በጣም ተሻሽሏል, ተጨማሪ ትልቅ ድሎች ኃይል ኤሌክትሮኒክስ መተግበሪያዎች ውስጥ ማሳካት, እና ተጨማሪ እሴት ለአጋሮች ተፈጥሯል።

መግቢያ፡-

1. ቺፕ

በ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ የተሰራው thyristor ቺፑ የተቀጠረው ቅይጥ ቴክኖሎጂ ስራ ላይ ይውላል።የሲሊኮን እና ሞሊብዲነም ዋፈር በንጹህ አልሙኒየም (99.999%) በከፍተኛ ቫክዩም እና ከፍተኛ ሙቀት ባለው አካባቢ ለመደባለቅ ሲንቴር ተደርጓል።የሲንሰሪንግ ባህሪያት አስተዳደር የ thyristor ጥራት ላይ ተጽእኖ የሚያሳድር ቁልፍ ነገር ነው.የ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ እውቀት በተጨማሪ ቅይጥ መጋጠሚያ ጥልቀት, የገጽታ ጠፍጣፋ, ቅይጥ አቅልጠው እንዲሁም ሙሉ ስርጭት ችሎታ, ቀለበት ክብ ጥለት, ልዩ በር መዋቅር ለማስተዳደር.እንዲሁም ልዩ ማቀነባበሪያው የመሳሪያውን የአገልግሎት አቅራቢ ህይወት ለመቀነስ ጥቅም ላይ ውሏል, ስለዚህም የውስጣዊው ተያያዥ ሞደም እንደገና የማጣመር ፍጥነት በከፍተኛ ሁኔታ የተፋጠነ ነው, የመሣሪያው የተገላቢጦሽ መልሶ ማግኛ ክፍያ ይቀንሳል, እና የመቀያየር ፍጥነት በዚህ ምክንያት ይሻሻላል.እንደዚህ ያሉ መለኪያዎች የተተገበሩት ፈጣን የመቀያየር ባህሪያትን ፣ በግዛት ላይ ያሉ ባህሪያትን እና የወቅቱን ከፍተኛ ንብረት ለማመቻቸት ነው።የ thyristor አፈፃፀም እና የመተላለፊያ አሠራር አስተማማኝ እና ውጤታማ ነው.

2. ማሸግ

የሞሊብዲነም ዋፈር እና የውጭ ፓኬጅ ጠፍጣፋነት እና ትይዩነት በጥብቅ በመቆጣጠር ቺፑ እና ሞሊብዲነም ዋፈር ከውጭ ጥቅል ጋር በጥብቅ እና ሙሉ በሙሉ ይዋሃዳሉ።እንዲህ ዓይነቱ የአየር ፍሰት እና ከፍተኛ የአጭር ዙር የአሁኑን የመቋቋም አቅም ያሻሽላል።እና የኤሌክትሮን ትነት ቴክኖሎጂ መለካት በሲሊኮን ዋፈር ወለል ላይ ወፍራም የአልሙኒየም ፊልም ለመፍጠር ተቀጥሯል ፣ እና በሞሊብዲነም ወለል ላይ የተለጠፈው የሩተኒየም ንጣፍ የሙቀት ድካም የመቋቋም ችሎታን በእጅጉ ያሻሽላል ፣ ፈጣን ማብሪያ / ማጥፊያ thyristor የስራ ጊዜ በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል።

ቴክኒካዊ ዝርዝር መግለጫ

1. ፈጣን ማብሪያ / ማጥፊያ thyristor በ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ በተመረተ የአሎይ ዓይነት ቺፕ ፣ የ I ክልል_TAVከ 200A እስከ 4000A እና V_DRM/V_RRMከ 1200 ቪ እስከ 4500 ቪ.
2. I_GT፣ ቪ_GTእና እኔ_Hየፈተና እሴቶቹ በ25 ℃ ናቸው፣ በሌላ መልኩ ካልተገለጸ በስተቀር፣ ሁሉም ሌሎች መመዘኛዎች በT ስር ያሉ የሙከራ ዋጋዎች ናቸው።_jm;
3. I²t=I²F SM ×tw/2፣ tw= የSinusoidal ግማሽ ሞገድ የአሁኑ መሠረት ስፋት።በ 50Hz ፣ I²t=0.005I²FSM (ኤ²ኤስ);
4. በ 60Hz: I_{ኤፍ.ኤስ.ኤም}(8.3ms)=I_{ኤፍ.ኤስ.ኤም}(10ms)×1.066፣ቲ_j=T_j;አይ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943፣ቲ_j=T_jm

መለኪያ፡