ደረጃ መቆጣጠሪያ Thyristor (ነጻ ተንሳፋፊ ዓይነት)

መግለጫ፡-

የመቀየሪያ መሳሪያዎች በተለይም የኤች.ቪ.ዲ.ሲ ማስተላለፊያ ኃይል እና አቅም መጨመር ፣ የመለኪያው ታይሪስተር የውጤት ኃይል አቅም በዚህ መሠረት እንዲጨምር ይጠየቃል ፣ ይህ በተከታታይ እና በትይዩ የግንኙነት ወረዳ ውስጥ የ thyristor ጭነት ብዛትን ይቀንሳል።የመሳሪያው መጠን እና ክብደት ይቀንሳል, ዝቅተኛ ኢንቨስትመንት, የአሁኑ እና የቮልቴጅ እንኳን በቀላሉ እውን ይሆናል, አስተማማኝ ቀዶ ጥገና እና የንግድ ዋጋ በከፍተኛ ሁኔታ ይጨምራል.

ከፍተኛ ኃይል ያለው ከፍተኛ አሁኑን thyristor ለማምረት የተቀጠረው ነፃ ተንሳፋፊ የሲሊኮን ቴክኖሎጂ ከፍተኛ ደረጃውን የጠበቀ የመተግበሪያ መስፈርት ያሟላል።እና እ.ኤ.አ. በጁላይ 2019፣ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ 5200V thyristor በ 5 ኢንች ቺፕ በተሳካ ሁኔታ ሰርቶ በቻይና ኤች.ቪ.ዲ.ሲ ፕሮጀክት ለተመለከተው ደንበኛ ቀረበ።

መግቢያ፡-

1. ቺፕ

በ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ የተሰራው ከፍተኛ ደረጃውን የጠበቀ thyristor ቺፕ ነፃ ተንሳፋፊ ቴክኖሎጂ ተተግብሯል።ከፍተኛ ሃይል ከፍተኛ ቮልቴጅ thyristor ለማምረት እንደ የቅርብ ጊዜው እና ብስለት ቴክኖሎጂ የተረጋገጠ ነው።በአለም አቀፍ ደረጃ በሚገኙ አምራቾች በስፋት ይተገበራል።

የቮልቴጅ መቋቋምን ለመጨመር፣በግዛት ላይ ያለውን የቮልቴጅ ውድቀት ለመቀነስ እና ቀስቅሴን እና ተለዋዋጭ ባህሪያትን ለማሻሻል የማሰራጨት ሂደቱ በመጠን እና በስፋት ተመቻችቷል።የዲ/ዲቲ እና ዲቪ/ዲቲ ባህሪን ለማሻሻል አዲስ የፎቶሊተግራፊ ንድፍ ተዘጋጅቷል።የቺፕ የግንኙነት መዋቅር የሲሊኮን ዋፈር እና የካቶድ ገጽን ጠርዝ ለመጠበቅ እንደገና ተገንብቷል ፣ የተገላቢጦሽ የቮልቴጅ አፈፃፀም በእጅጉ ይሻሻላል።

2. ማሸግ

የነጻ ተንሳፋፊ የሲሊኮን ቴክኖሎጂ ጥቅሙ በሲሊኮን እና በሞሊብዲነም ዋይፈር መካከል ያለው መበላሸት በጣም የተከለከለ እና የሞሊብዲነም ዋፈር ፍጆታ ቀንሷል።የሲሊኮን ዋፈር እና የመዳብ ማገጃ ጥቅል በጣም የሚፈለጉ ሲሆኑ ትይዩ እና ሻካራነት አስፈላጊነት ቺፕ ቴክኖሎጂን ከመቀላቀል የበለጠ ነው።በተከታታይ መሻሻል እና ፈጠራ፣ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ ሁሉንም የቴክኒክ ችግሮች እና መሰናክሎች አሸንፏል።ነፃው ተንሳፋፊ ቴክኖሎጂ፣ ከፍተኛ ኃይል ያለው ከፍተኛ ቮልቴጅ thyristor ከአስተማማኝ አፈጻጸም እና ከንግድ ቀልጣፋ መፍትሄ ጋር ተዘጋጅቶ ለደንበኞች ቀረበ።አብዛኛዎቹ በከፍተኛ ሃይል መቆጣጠሪያ ተስተካካይ፣ ከፍተኛ የቮልቴጅ ለስላሳ ማስጀመሪያ፣ ኤች.ቪ.ዲ.ሲ ሃይል ማስተላለፊያ፣ ሎኮሞቲቭ ትራክሽን፣ ተለዋዋጭ ምላሽ ሃይል ማካካሻ እና የልብ ምት ሃይል አፕሊኬሽን ሲስተም ውስጥ ተጭነዋል።

ቴክኒካዊ ዝርዝር መግለጫ

1. ደረጃ ቁጥጥር thyristor በ RUNAU ኤሌክትሮኒክስ የተመረተ ቅይጥ አይነት ቺፕ ጋር, ክልል I_TAVከ 350A እስከ 5580A እና V_DRM/V_RRMከ 3400V እስከ 8500V.
2. I_GT፣ ቪ_GTእና እኔ_Hየፈተና እሴቶቹ በ25 ℃ ናቸው፣ በሌላ መልኩ ካልተገለጸ በስተቀር፣ ሁሉም ሌሎች መመዘኛዎች በT ስር ያሉ የሙከራ ዋጋዎች ናቸው።_jm;
3. I²t=I²F SM ×tw/2፣ tw= የSinusoidal ግማሽ ሞገድ የአሁኑ መሠረት ስፋት።በ 50Hz ፣ I²t=0.005I²FSM (ኤ²ኤስ);
4. በ 60Hz: I_{ኤፍ.ኤስ.ኤም}(8.3ms)=I_{ኤፍ.ኤስ.ኤም}(10ms)×1.066፣ቲ_j=T_j;አይ²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943፣ቲ_j=T_jm

መለኪያ: